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當前位置:首頁技術說明CVD

CVD (化學氣相沉積)

化學氣相沉積法(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法,是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術,包括大范圍的絕緣材料,大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說,它是很簡單的:兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內,然后他們相互之間發生化學反應,形成一種新的材料,沉積到晶片表面上。沉積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子,它是由硅烷和氮反應形成的。

CVD (chemical vapor deposition)

Chemical vapor deposition (CVD) is a method that chemical gas or vapor react on the surface of substrate to synthesize coatings or nano materials. It is the most widely used technology in semiconductor industry to deposit a variety of materials, including a wide range of insulating materials, most metal materials and metal alloys. Theoretically, it is very simple: two or more gaseous raw materials are introduced into a reaction chamber, and then they react with each other to form a new material, which is deposited on the wafer surface. A good example is the deposition of silicon nitride film (Si3N4), which is formed by the reaction of silane and nitrogen.

化學氣相沉積法是傳統的制備薄膜的技術,其原理是利用氣態的先驅反應物,通過原子、分子間化學反應,使得氣態前驅體中的某些成分分解,而在基體上形成薄膜?;瘜W氣相沉積包括常壓化學氣相沉積、等離子體輔助化學沉積、激光輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。

Chemical vapor deposition (CVD) is a traditional technique for preparing thin films. The principle of CVD is to use gaseous precursor reactants to decompose some components of gaseous precursor through chemical reactions between atoms and molecules to form thin films on the substrate. Chemical vapor deposition includes atmospheric pressure chemical vapor deposition, plasma assisted chemical deposition, laser assisted chemical deposition, metal organic compound deposition and so on.

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